基辛格支持Z2RAM内存开发
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基辛格支持Z2RAM内存开发
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AI 综述
2026年10月28日,IT之家报道显示,前英特尔CEO基辛格通过风投机构支持Nagare Labs开发Z2RAM内存技术。该技术采用氧化物半导体材料,使用标准后端工艺无需EUV光刻,目标是在四年内推出可工作的Z2RAM内存芯片样品。Z2RAM旨在兼具SRAM速度与DRAM密度,采用基于晶体管的存储单元,可实现非破坏性读取,初期目标比特密度可达SRAM的5倍以上。
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最新进展10月28日 13:07
前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存:Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻,4 年内送样报道时间线
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10月28日
- IT之家前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存:Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻,4 年内送样
前英特尔 CEO 基辛格通过风投机构支持 Nagare Labs 开发 Z2RAM 内存技术,该技术采用氧化物半导体材料,使用标准后端工艺无需 EUV 光刻,目标是在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品。Z2RAM 旨在兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度,采用基于晶体管的存储单元,可实现非破坏性读取,初期目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。
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