英飞凌量产300mm碳化硅功率器件

2026年11月10日，英飞凌宣布率先在全规模半导体晶圆厂环境中成功将300mm碳化硅晶圆加工为功率半导体器件。这一成就基于奥地利Villach晶圆厂的现有设备实现。英飞凌还验证了冷分片技术在12英寸SiC上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆工艺效率并减少加工损耗。这是全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆的成功制造。

AI 根据报道生成 · 1 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。