台积电A14工艺突破SRAM尺寸瓶颈
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台积电A14工艺突破SRAM尺寸瓶颈
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台积电A14工艺将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下,降幅超19%。这将是自2020年N5量产以来,台积电SRAM单元尺寸首次实质性缩减。A14目前处于试产阶段,用于评估节点可行性并让客户检验设计表现。
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最新进展10月27日 18:09
台积电A14有望打破8年技术瓶颈 实现全球最小SRAM单元尺寸报道时间线
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10月27日
- 财联社电报台积电A14有望打破8年技术瓶颈 实现全球最小SRAM单元尺寸
台积电A14工艺将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下,降幅超19%。这将是自2020年N5量产以来,台积电SRAM单元尺寸首次实质性缩减。A14目前处于试产阶段,用于评估节点可行性并让客户检验设计表现。
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22:0023:0010月28日
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