掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录
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掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录
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AI 综述
2026年10月28日，美国康奈尔大学团队在《自然》杂志发表研究成果，宣布在氧化铝镓薄膜中掺入硅，实现了比以往任何半导体都宽的带隙，同时保持稳定导电调控。这一突破性进展有望推动电子产品的小型化与高效化发展。
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最新进展10月28日 06:49
掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录报道时间线
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10月28日
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