三星采用台积电3nm生产英伟达HBM基底裸片
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三星采用台积电3nm生产英伟达HBM基底裸片
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AI 综述
2026年10月18日报道，三星电子将采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)的基底裸片。这一合作标志着三星在HBM生产上的重大转变，此前三星HBM产品均由三星自主生产。英伟达已要求三星、SK海力士和美光三家公司均使用台积电3nm工艺制造HBM基底裸片，同时核心裸片统一采用1c工艺，目的是通过标准化制造方案实现稳定一致的性能。10月19日报道进一步确认英伟达推动HBM标准化，要求三家厂商统一采用台积电3纳米工艺制造HBM基础芯片。
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最新进展10月19日 20:33
美光正为物理AI研发EIM存储器；英伟达推动HBM标准化；马斯克称明年向每名美国儿童赠予一股SpaceX股票事件进展
2 个进展
- 10月19日 20:33 · 1 篇报道美光研发物理AI存储器财联社电报：美光正为物理AI研发EIM存储器；英伟达推动HBM标准化；马斯克称明年向每名美国儿童赠予一股SpaceX股票
- 10月18日 22:51 · 1 篇报道三星采用台积电3nm工艺生产英伟达HBM基底裸片IT之家：三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 财联社电报美光正为物理AI研发EIM存储器；英伟达推动HBM标准化；马斯克称明年向每名美国儿童赠予一股SpaceX股票
美光科技正研发专为物理AI设计的边缘推理存储器（EIM），预计2028年下半年量产。英伟达要求三星、SK海力士和美光统一采用台积电3纳米工艺制造高带宽内存（HBM）基础芯片以推动标准化。马斯克宣布明年将向每名美国儿童赠予一股SpaceX股票。
10月18日
- IT之家三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片
三星电子将采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)的基底裸片，此前三星HBM产品均由三星自主生产。英伟达要求三星、SK海力士和美光使用台积电3nm工艺制造基底裸片，核心裸片统一采用1c工艺，目的是标准化制造方案以实现稳定一致的性能。