三星SK海力士升级中国工厂
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三星SK海力士升级中国工厂
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AI 综述
三星电子和SK海力士正在升级中国工厂以生产更先进的闪存芯片。三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，2027年12月提升至4万片。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品，目前该工厂生产192层产品。最新报道称，三星及SK海力士正推进中国厂房生产逾200层NAND晶片，目标将技术提升至韩国厂房水平，三星西安工厂占公司全球NAND产量约40%。此外，长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，超过三星的33.5%和SK海力士的17%，改变了本土市场格局。
AI 根据报道生成 · 2 天前更新
最新进展10月23日 18:21
三星、海力士升级中国工厂，长江存储改变了什么？事件进展
2 个进展
- 10月23日 09:50 · 1 篇报道三星提升中国NAND芯片产能财联社电报：存储芯片概念表现活跃 大港股份涨停
- 10月21日 17:15 · 2 篇报道三星SK海力士升级中国工厂IT之家：三星电子、SK海力士升级中国工厂生产更先进闪存芯片
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月23日
- 钛媒体三星、海力士升级中国工厂，长江存储改变了什么？
三星计划将西安工厂部分产线升级至286层V9 NAND，SK海力士准备在大连制造240层及以上NAND。长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，超过三星的33.5%和SK海力士的17%，改变了本土市场格局。
- 财联社电报存储芯片概念表现活跃 大港股份涨停
存储芯片概念表现活跃，大港股份涨停，普冉股份、德明利、长鑫科技跟涨。三星电子及SK海力士正推进中国厂房生产逾200层NAND晶片，目标将技术提升至韩国厂房水平。三星西安工厂占公司全球NAND产量约40%。
10月21日
- IT之家三星电子、SK海力士升级中国工厂生产更先进闪存芯片
三星电子和SK海力士正在升级中国工厂以生产更先进的闪存芯片。三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，2027年12月提升至4万片。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品，目前该工厂生产192层产品。
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