红外成像芯片制备获重要进展
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红外成像芯片制备获重要进展
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AI 综述
2026年10月30日，华中科技大学唐江教授团队在《自然》杂志发表研究成果，宣布成功使用室温水溶液工艺制备出640×512像素的短波红外成像芯片。该创新工艺使硫化铅感光层直接生长在读出电路上，芯片在室温下对2.5微米红外光的比探测率达到同类器件最高水平，高于商用铟镓砷探测器。该芯片可在不制冷、不补光条件下清晰拍摄80-600摄氏度高温物体的红外图像，为红外成像技术提供了新的解决方案。
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最新进展10月30日 20:54
中国团队在《自然》发表室温工艺制备红外成像芯片研究报道时间线
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10月30日
- 财联社电报中国团队在《自然》发表室温工艺制备红外成像芯片研究
华中科技大学唐江教授团队在《自然》杂志发表研究成果，使用室温水溶液工艺让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素的短波红外成像芯片。该芯片在室温下对2.5微米红外光的比探测率达到同类器件最高水平，高于商用铟镓砷探测器，可在不制冷、不补光条件下清晰拍摄80-600摄氏度高温物体的红外图像。
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