华邦电子计划14nm DRAM引入EUV技术
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华邦电子计划14nm DRAM引入EUV技术
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华邦电子总经理陈沛铭表示，计划在第二代14nm级DRAM内存工艺中应用EUV光刻技术。若开发顺利，预计2030年导入。华邦已与ASML展开3.5年合作，并派遣员工接受培训。ASML承诺首台EUV光刻机约2年内交付。
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最新进展11月9日 16:07
华邦电子：14nm DRAM内存将有EUV版本，有望2030年导入报道时间线
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11月9日
- IT之家华邦电子：14nm DRAM内存将有EUV版本，有望2030年导入
华邦电子总经理陈沛铭表示，计划在第二代14nm级DRAM内存工艺中应用EUV光刻技术，若开发顺利预计2030年导入。华邦已与ASML展开3.5年合作，并派遣员工接受培训，ASML承诺首台EUV光刻机约2年内交付。
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