三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别针对吞吐量与随机性能优化。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die 提升读写带宽，zNAND-I 强调少量数据频繁读写场景表现。