华邦电子：14nm DRAM内存将有EUV版本，有望2030年导入

华邦电子总经理陈沛铭表示，计划在第二代14nm级DRAM内存工艺中应用EUV光刻技术，若开发顺利预计2030年导入。华邦已与ASML展开3.5年合作，并派遣员工接受培训，ASML承诺首台EUV光刻机约2年内交付。