掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录

美国康奈尔大学团队在氧化铝镓薄膜中掺入硅，实现比以往任何半导体都宽的带隙且保持稳定导电调控。该成果发表于《自然》杂志，有望推动电子产品小型化与高效化。