英飞凌成功制造全球首个300mm碳化硅功率器件晶圆

英飞凌宣布率先在全规模半导体晶圆厂环境中将300mm碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，基于奥地利Villach晶圆厂的现有设备实现。公司还验证了冷分片技术在12英寸SiC上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆工艺效率并减少加工损耗。