英特尔CTO称与台积电制程技术差距小于10%

英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德表示，英特尔与台积电之间的制程技术差距已缩小至几个百分点，但产能追赶仍需时间。他指出台积电晶圆制造规模明显大于英特尔，先进制程竞争不仅涉及技术指标，还取决于能否稳定生产大量先进芯片。英特尔采用背面供电架构，将High-NA EUV作为14A制程的可选方案提供给客户。