前英特尔 CEO 基辛格押注新 AI 内存：Z2RAM 拟绕开 EUV 光刻，4 年内送样

前英特尔 CEO 基辛格通过风投机构支持 Nagare Labs 开发 Z2RAM 内存技术，该技术采用氧化物半导体材料，使用标准后端工艺无需 EUV 光刻，目标是在四年内推出可工作的 Z2RAM 内存芯片样品。Z2RAM 旨在兼具 SRAM 速度与 DRAM 密度，采用基于晶体管的存储单元，可实现非破坏性读取，初期目标比特密度可达 SRAM 的 5 倍以上。