佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

佳能计划到 2029 年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升 50%。该企业正在开发用于先进封装工艺的 i 线光刻设备，分辨率达 0.8μm，可处理 510×515mm 基板。