三星电子、SK海力士升级中国工厂生产更先进闪存芯片

三星电子和SK海力士正在升级中国工厂以生产更先进的闪存芯片。三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND闪存芯片，目标今年12月实现每月5000片晶圆产量，2027年12月提升至4万片。SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级为240层以上产品，目前该工厂生产192层产品。