ASML与蔡司：未来Hyper NA EUV光刻机主要挑战为更低的可用景深

ASML与蔡司表示，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机有望支持5nm半间距的光学分辨率，预计10年左右面世。主要技术挑战在于更低的可用景深，需要更薄的光刻胶和改进扫描设备聚焦控制等技术。